Для нормальной работы сайта необходимо разрешить JavaScript, включая скрипты с доменов googlesyndication.com и doubleclick.net для отображения системы поиска по сайту и прочих сервисов Google.

RRAM: Новый тип ОЗУ имеющий максимальную плотность записи

hi-tech-logo1 Вероятно, в перспективе в мобильные телефоны и компьютеры и станут внедрять терабайты озу, а модули памяти в своих размерах не будут превышать пару квадратных см..

Это всё благодаря химикам из университета Райса, которые смогли разработать новый тип памяти RRAM (резистивная память с произвольным доступом, resistive random-access memory), плотность записи в которую при комнатной температуре в 50 раз превышает возможности ОЗУ стандартных устройств.

rram_1

На данный момент есть более десятка различных вариантов проектирования оперативной памяти. Но создатели RRAM убеждены, что их творение памяти почти по всем параметрам превышает всякие типы резистивной. А потому как в нашей разработке используется один из самых изученных материалов на земле, оксид кремния, то принцип работы ОЗУ очевиден и его просто выполнить на уже существующих линиях производства, — заявил 1-н из создателей научного труда, который был опубликован в журнале Nano Letters:http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl501803s.

Основная идея девайсов с использованием RRAM (резистивной памяти) состоит в том, что между двумя контактами применяется диэлектрик, через слой которого при подаче необходимого напряжения, проходит электричество. Отсутствие или присутствие напряжения отвечает значениям 1 или 0.


Испытания продемонстрировали, что диэлектрик можно неоднократно пробивать, поэтому данный материал для создания перезаписываемой оперативной памяти всецело пригодный. Созданные прежде прототипы RRAM планировалось выпустить в продажу спустя пару лет.

rram_2

Главный элемент новой конструкции RRAM — это новый тип диэлектрика, оксид кремния. Около четырёх лет назад в университете Райса сделали научное открытие, когда разработали способ электропробоя при напряжении менее 2 в. с использованием оксида кремния в качестве слоя диэлектрика. Следовательно, в теории уже есть возможность изготавливать микросхемы, без использования меди или иных дорогостоящих металлов, применяя один лишь кремний.

В конструкции новой оперативной памяти SiOx слой расположен между слоями золота и платины, но это лишь пробный прототип. На производстве, вероятно, возможно будет применение иных материалов. Учёные убеждены, что именно их изобретение предпочтительнее иным подходит для серийного изготовления.

http://news.rice.edu/2014/07/10/rices-silicon-oxide-memories-catch-manufacturers-eye/

Рекомендуемый контент



Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Рейтинг@Mail.ru 2 megabytes