Для нормальной работы сайта необходимо разрешить JavaScript, включая скрипты с доменов googlesyndication.com и doubleclick.net для отображения системы поиска по сайту и прочих сервисов Google.

Samsung начал серийное производство первых в индустрии 2 ГБ модулей видеопамяти GDDR6 для видеокарт следующего поколения

Samsung начал серийное производство первых в индустрии 2 ГБ модулей видеопамяти GDDR6 для видеокарт следующего поколения Компания Samsung Electronics сегодня сообщила о начале массового производства первых в индустрии модулей памяти GDDR6, предназначенных для использования в видеокартах, игровых, сетевых и автомобильных устройствах, а также системах искусственного интеллекта.

Модули GDDR6-памяти емкостью 16 Гбит (2 ГБ) изготовлены по техпроцессу 10 нм класса (в компанию уточняют, что это значит техпроцесс в пределах от 10 до 19 нм), что вдвое превосходит решение предыдущего поколения в виде GDDR5-чипов объемом 8 Гбит (1 ГБ), выполненных по 20 нм техпроцессу.

Новая память обеспечивает скорость 18 Гбит/с (pin speed), что позволяет передавать данные на скоростях до 72 Гбайт/с, что в свою очередь более чем вдвое быстрее, чем в случае со старой памятью GDDR5, которая выдавала скорость 8 Гбит/с (pin speed).

Использование нового схемодизайна позволило использовать более низкое напряжение питания 1,35 В, что снижает затраты энергии на 35% по сравнению с модулями памяти GDDR5, работающими от напряжения 1,55 В. Более “тонкий” техпроцесс также позволил повысить эффективность производства примерно на 30% по сравнению с 20 нм стандартом.

По мнению представителей Samsung Electronics, старт массового производства памяти GDDR6 должен сыграть критически важную роль в более скором появлении на рынке видеокарт следующего поколения, а также других быстро растущих сегментов с высокими требованиями к видеопамяти, включая системы обработки 8K Ultra HD видео, виртуальной и дополненной реальности, а также искусственного интеллекта.


Напомним, что недавно Samsung начал серийный выпуск второго поколения сверхбыстрой памяти High Bandwidth Memory-2 (HBM2) емкостью 8 ГБ, которая обеспечивает суммарную пропускную способность в 307 ГБ/с (у первого поколения – 256 ГБ/с), что в 9,6 раза превышает показатель микросхемы GDDR5 объемом 8 Гбит, равный 32 ГБ/с.

Рекомендуемый контент



Добавить комментарий

АХТУНГ! Все комменты модерасятся модерастом. Мессаги исключительно рекламного или оскорбительного содержания не публикуются, а поэтому злостным спамерам, пранкерам и прочей сетевой нечисти рекомендуем напрасно не тратить своего времени и удовлетворять свои больные фантазии на специализированных Интернет ресурсах! Разумная же критика, замечания, дополнения и хвалебные оды приветствуются, также допускается легкий флуд или троллинг :)


Защитный код
Обновить

Рейтинг@Mail.ru 4 megabytes